| MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 方芳,王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,苏宏波,江风益.MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜[J].南昌大学学报(理科版),2006,30(1):56-58,62. |
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| 作者姓名： | 方芳 王立 方文卿 蒲勇 郑畅达 苏宏波 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家新技术研究发展基金(863计划);电子信息产业发展基金 |
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| 摘 要： | 用常压金属有机化学气相外延方法在Ni／Si（111）模板上生长ZnO薄膜，研究了ZnO低温缓冲层的厚度（50h，300h）对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜，X射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进行分析。结果表明：缓冲层的厚度对zno外延薄膜的表面形貌、晶体结构及发光性能都有较大影响。在50h～100A低温缓冲层上生长的ZnO外延膜，晶粒尺寸大小均匀，发光和结晶性能良好。
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| 关 键 词： | X射线衍射 光致发光 |
| 文章编号： | 1006-0464（2006）01-0056-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-16 |
| 修稿时间： | 2005-10-16 |
MOCVD growth of ZnO film on Ni/Si(111) template |
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| FANG Fang,WANG Li,FANG Wen-qing,PU Yong,ZHENG Chang-da,SU Hong-bo,JIANG Feng-yi.MOCVD growth of ZnO film on Ni/Si(111) template[J].Journal of Nanchang University(Natural Science),2006,30(1):56-58,62. |
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| Authors: | FANG Fang WANG Li FANG Wen-qing PU Yong ZHENG Chang-da SU Hong-bo JIANG Feng-yi |
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| Institution: | Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices,Nanchang University 330047 ,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO MOCVD Ni Si |
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