合成β-SiCw的催化剂熔球机理研究 |
| |
引用本文: | 管英富,郭梦熊.合成β-SiCw的催化剂熔球机理研究[J].人工晶体学报,1998,27(2):164-168. |
| |
作者姓名: | 管英富 郭梦熊 |
| |
作者单位: | 攀枝花钢铁研究院,攀枝花,617000;中国矿业大学北京研究生部,北京,100083 |
| |
摘 要: | 本文用扫描电镜(SEM)研究了合成β-SiCw的反应过程和晶须的生长机理.通过对催化剂熔球的元素含量分析,发现β-SiCw的形成过程属气-液-固(VLS)三相反应过程,反应体系中含硅、碳的物质熔解在催化剂熔球中反应生成SiC,SiC在催化剂熔球的定向修正作用下沿(111)面结晶形成β-SiCw.用此方法合成β-SiCw反应速度快,晶须质量好,晶须生成率高.
|
关 键 词: | β-SiCw 合成 催化剂熔球 反应机理 晶须 |
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|