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硅片中微缺陷的CO_2激光自动选择退火
引用本文:丁乐礼,傅汝廉,开桂云.硅片中微缺陷的CO_2激光自动选择退火[J].中国激光,1986,13(9):583.
作者姓名:丁乐礼  傅汝廉  开桂云
作者单位:南开大学电子科学系 (丁乐礼),南开大学现代光学研究所 (傅汝廉),南开大学现代光学研究所(开桂云)
摘    要:利用硅对CO_2激光吸收是自由载流子吸收的特点,将有微缺陷的硅片按器件图形扩硼以后,再用CO_2激光进行短时间退火,能够只把器件有源区里面的微缺陷消除掉。 实验结果表明,经CO_2激光退火以后,报废器件的性能可以修复,有微缺陷的硅片可以用来做器件,而且效果更好。CO_2激光退火的选择是在退火过程中自动完成的,不需要借助于任

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