力旺推出高电压制程OTP提升芯片良率与性能 |
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摘 要: | 新竹讯:力旺电子日前宣布完成0.15μm高电压制程之Neobit硅智财的技术开发。力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂(IDM)与晶圆代工厂高压制程平台之上,其涵盖了0.6μm、0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.22μm、0.18μm与0.15μm的制程技术。
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关 键 词: | 制程技术 高电压 OTP 芯片 0.18μm 0.5μm 技术开发 非挥发性 嵌入式 电子 |
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