| 静电感应晶体管高频功率参数的控制 |
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| 引用本文： | 孟雄晖,李思渊,姜岩峰.静电感应晶体管高频功率参数的控制[J].半导体技术,1999,24(3):28-32. |
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| 作者姓名： | 孟雄晖 李思渊 姜岩峰 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系静电感应器件研究所,兰州,730001 |
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| 摘 要： | 以对静电感在晶体管的直流参数的研究为基础，详细研究了与ＳＩＴ高频性能有关的参数的控制与调节。
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| 关 键 词： | 高频 功率增益 封装 |
| 修稿时间： | 19980402) |
The Control on High Frequency Power Parameter of the Static Induction Transistor |
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| Meng Xionghui,Li Siyuan,Jiang Yanfeng.The Control on High Frequency Power Parameter of the Static Induction Transistor[J].Semiconductor Technology,1999,24(3):28-32. |
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| Authors: | Meng Xionghui Li Siyuan Jiang Yanfeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SIT |
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