| (Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性 |
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| 引用本文： | 亓鹏,王矜奉,陈洪存,苏文斌,王文新,臧国忠,王春明. (Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性[J]. 物理学报, 2003, 52(7) |
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| 作者姓名： | 亓鹏 王矜奉 陈洪存 苏文斌 王文新 臧国忠 王春明 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 摘 要： | 研究了Sr对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当SrCO3的含量从零增加到1.50mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从240V/mm猛增到1482V/mm.样品的微观结构分析发现, 当SrCO3的含量从零增加到1.50 mol%时, SnO2的晶粒尺寸迅速减小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因.对Sr含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂1.50 mol% SrCO3的SnO2压敏电阻非线性系数为21.4,击穿电压高达1482V/mm.
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| 关 键 词： | 碳酸锶 二氧化锡 势垒 电学非线性 |
Nonlinear electrical properties of (Sr, Co, Nb)-doped SnO2 varistors |
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