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| 超薄层常压外延工艺研究 | |
| 引用本文： | 谭卫东,郭锐,骆红,杨帆,金龙,马利行,张文清,王霄.超薄层常压外延工艺研究[J].微电子学,2009,39(5). |
| 作者姓名： | 谭卫东 郭锐 骆红 杨帆 金龙 马利行 张文清 王霄 |
| 作者单位： | 1. 南京国盛电子有限公司,南京,210038 2. 中国电子科技集团公司,第五十五研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 为了满足一种3 mm雪崩渡越二极管的技术要求,改进了常压外延工艺,在PE-2061S硅外延设备上,实现了100 mm硅片超薄外延层的生长.外延层厚度为0.45～0.55μm,外延层与衬底之间的过渡区宽度大于0.2μm.过渡区宽度以及外延层厚度和掺杂浓度的精确控制,提高了器件的微波性能. |
| 关 键 词： | 常压外延 超薄层外延 IMPATT二极管 |
Study on Atmospheric Pressure Epitaxy of Ultrathin Layer |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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