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MoS_2/TiO_2纳米管阵列的一步沉积法制备及光电性能研究
引用本文:李玥,李红英,常玉雪,周宏艳,于翔.MoS_2/TiO_2纳米管阵列的一步沉积法制备及光电性能研究[J].影像科学与光化学,2018(4).
作者姓名:李玥  李红英  常玉雪  周宏艳  于翔
作者单位:河南工程学院材料与化学工程学院
摘    要:本文采用阳极氧化法及循环伏安法,在TiO_2纳米管阵列上成功沉积了MoS_2纳米粒子,得到了MoS_2/TiO_2复合纳米材料。与未修饰的TiO_2纳米管阵列相比,复合MoS_2/TiO_2纳米管阵列的光电性能以及光催化性能都有明显提升。通过光电流实验结果分析,当沉积MoS_2圈数为30圈时,MoS_2/TiO_2复合纳米材料的光电流强度最强(0.35 mA/cm~2),是未修饰的TiO_2光电流强度的3.88倍(0.09mA/cm2)。通过光催化降解对比实验发现,MoS_2/TiO_2复合纳米材料对4-硝基酚的光催化降解效果要明显优于未修饰的TiO_2。复合MoS_2/TiO_2纳米管阵列增强的光电性能及光催化活性应该是归因于复合材料增强的可见光吸收能力,以及更快的电子和空穴迁移速度。

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