| 螯合剂与氧化剂协同比对化学机械平坦化的影响 |
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| 引用本文： | 刘伟娟,刘玉岭.螯合剂与氧化剂协同比对化学机械平坦化的影响[J].半导体学报,2015,36(2):026001-5. |
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| 作者姓名： | 刘伟娟 刘玉岭 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金资助项目(E2014202147)；河北省教育厅资助科研项目(QN2014208) |
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| 摘 要： | 主要研究了不含BTA(苯并三唑)等抑制剂，以化学作用为主的碱性抛光液中，氧化剂与螯合剂协同比对平坦化的影响。抛光液主要包括螯合剂、非离子型表面活性剂、磨料和氧化剂。研究了氧化剂与螯合剂不同协同比，对抛光速率和静态腐蚀速率的影响规律，进一步研究了协同比对平坦化的影响。平坦化结果显示，固定螯合剂含量，随着氧化剂含量的增加，蝶形坑先减小后增大。当氧化剂含量为螯合剂含量三倍的时（即协同比为3），蝶形坑增加最小。基于化学机械协同作用的动力学控制过程，提出了一个理论模型。根据理论模型，分析了氧化剂与螯合剂协同比对高低速率差的影响，并对平坦化结果进行了分析解释。实验结果显示，当氧化剂与螯合剂协同比在区间2.5-3.5之间时，高低速率差较大，在此区间可以实现好的平坦化效果。本文为以后分析和研究碱性精抛液，解决低凹处铜线条腐蚀问题提供了新思路。
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| 关 键 词： | CMP theoretical model synergic ratios dishing static etch rates |
| 收稿时间： | 2014/6/22 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2014/9/22 0:00:00 |
Synergic effect of chelating agent and oxidant on chemical mechanical planarization |
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| Liu Weijuan and Liu Yuling.Synergic effect of chelating agent and oxidant on chemical mechanical planarization[J].Chinese Journal of Semiconductors,2015,36(2):026001-5. |
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| Authors: | Liu Weijuan and Liu Yuling |
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| Institution: | Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMP theoretical model synergic ratios dishing static etch rates |
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