线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC):理论研究、测试和仿真 |
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引用本文: | 张彦飞,游雪兰,吴郁.线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC):理论研究、测试和仿真[J].电力电子,2008(1):37-41. |
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作者姓名: | 张彦飞 游雪兰 吴郁 |
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作者单位: | 北京理工大学; |
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摘 要: | 本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。
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关 键 词: | 功率MOSFET 载流子迁移率 温度系数 温度梯度 TC 线性区 迁移率模型 沟道 |
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