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线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC):理论研究、测试和仿真
引用本文:张彦飞,游雪兰,吴郁.线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC):理论研究、测试和仿真[J].电力电子,2008(1):37-41.
作者姓名:张彦飞  游雪兰  吴郁
作者单位:北京理工大学;
摘    要:本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。

关 键 词:功率MOSFET  载流子迁移率  温度系数  温度梯度  TC  线性区  迁移率模型  沟道
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