| 用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度 |
| |
| 引用本文： | 杨志坚,龙涛,张国义.用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度[J].发光学报,2001,22(Z1):10-12. |
| |
| 作者姓名： | 杨志坚 龙涛 张国义 |
| |
| 作者单位： | 杨志坚（北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871）;龙涛（北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871）;张国义（北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871） |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69876002) |
| |
| 摘 要： | 研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响.样品在800℃退火1小时后,我们获得了空穴浓度达8.28×1017cm-3的p型GaN.这一结果可以用于GaN基器件的p型层的欧姆接触.
|
| 关 键 词： | 空穴浓度 p-型 GaN Mg-注入 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0010-03 |
| 修稿时间： | 2001年3月17日 |
Increasing Hole Concentration of p-type GaN by Mg Implantation |
| |
| YANG Zhijian,LONG Tao,ZHANG Guoyi.Increasing Hole Concentration of p-type GaN by Mg Implantation[J].Chinese Journal of Luminescence,2001,22(Z1):10-12. |
| |
| Authors: | YANG Zhijian LONG Tao ZHANG Guoyi |
| |
| Abstract: | The first investigation on the effect of Mg implantation on Mg-doped GaN grown by MOCVD was reported. P-type GaN with high hole concentration (8.28 × 1017 cm- 3 ) was obtained by annealing at 800℃ for 1h. This method can be used to fabricate the GaN-based devices for low resistance ohmic contact of p-type GaN. |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
