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不同的衬底温度下GdBa_2Cu_3O_7超导薄膜在(100)SrTiO_3单晶衬底上的生长
引用本文:易怀仁,王瑞兰,李静维,李宏成,王长安,石磊,赵忠贤,李林.不同的衬底温度下GdBa_2Cu_3O_7超导薄膜在(100)SrTiO_3单晶衬底上的生长[J].低温物理学报,1992(2).
作者姓名:易怀仁  王瑞兰  李静维  李宏成  王长安  石磊  赵忠贤  李林
作者单位:中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科技大学结构分析开放实验室,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所 北京,100080国家超导实验室,北京,100080中国科技大学结构分析开放实验室,合肥,230026,北京,100080,北京,100080,北京,100080中国科技大学结构分析开放实验室,合肥,230026,北京,100080,合肥,230026,北京,100080国家超导实验室,北京,100080,北京,100080
摘    要:影响 Y 系高温超导薄膜制备工艺的因素很多,其中衬底温度被认为是最关键的因素之一.本文工作利用直流磁控溅射快速原位处理的方法,在600—850℃ 的衬底温度范围内,在(100)SrTiO_3单晶衬底上制备了一系列的 GdBa_2Cu_3O_7超导薄膜样品,并对这些样品的超导电性和结构进行了分析.发现,在衬底温度低至670℃ 时,也能得到零电阻转变温度 T_(c0)>88K 的样品.

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