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宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究
引用本文:马可,贺永宁,张松昌,刘卫华. 宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 863-867,876
作者姓名:马可  贺永宁  张松昌  刘卫华
作者单位:西安交通大学电信学院微电子学系,西安,710049
基金项目:国家自然科学基金(60876038)
摘    要:以Zn粉为材料,采用CVD法在宽温区内可控生长ZnO纳米线.利用SEM对产物进行了微观分析,考察了反应温度与升温时间对ZnO纳米线形貌的影响.用ZnO纳米线制成光电导型紫外光探测器,并测试了该器件的性能,考察了所得ZnO纳米线的光电特性.研究工作表明:用CVD法制备ZnO纳米线时的反应温度不限于某一个特定值,而是常压下在419.5℃以上的温区内均可进行,该宽温区ZnO纳米线CVD合成法的关键在于优化和匹配生长温度与加热时间两个参数.对紫外光探测器的性能测试结果表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光电响应特性.

关 键 词:ZnO纳米线  CVD生长法  宽温区生长  光电导型紫外线探测器

Controlled Synthesis of ZnO Nanowires in a Wide Temperature Range by CVD Method
MA Ke , HE Yong-ning , ZHANG Song-chang , LIU Wei-hua. Controlled Synthesis of ZnO Nanowires in a Wide Temperature Range by CVD Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(4): 863-867,876
Authors:MA Ke    HE Yong-ning    ZHANG Song-chang    LIU Wei-hua
Affiliation:(Department of Microelectronic,School of Electronic and Information Engineering,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China)
Abstract:
Keywords:
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