| 聚酰亚胺与溅射SiO_2双层介质的钝化技术 |
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| 引用本文： | 胡国元,段春丽,雷培明. 聚酰亚胺与溅射SiO_2双层介质的钝化技术[J]. 微电子学与计算机, 1993, 0(10) |
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| 作者姓名： | 胡国元 段春丽 雷培明 |
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| 作者单位： | 骊山微电子学研究所，骊山微电子学研究所，骊山微电子学研究所 陕西 临潼 710600，陕西 临潼 710600，陕西 临潼 710600 |
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| 摘 要： | 本文介绍我们采用聚酰亚胺与溅射SiO_2双层介质进行表面钝化的研究.这种技术克服了单一聚酰亚胺介质层进行表面钝化时难于微细加工的缺点,以其特有的流平性、与金属层良好的粘附性而成为集成电路表面钝化及多层布线的新途径.
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| 关 键 词： | 聚酰亚胺 溅射SiO_2 双层介质 表面钝化 |
A Research for PI-Sputted SiO_2Surface Passivating Technology |
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| Hu Guoyuan,Duan Chunli,Lei Peiming. A Research for PI-Sputted SiO_2Surface Passivating Technology[J]. Microelectronics & Computer, 1993, 0(10) |
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| Authors: | Hu Guoyuan Duan Chunli Lei Peiming |
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| Abstract: | A technology of surface passivating is described in this paper, this passive layer consist of polyimide and sputted SiO. This technology overcame difficulty of etching single PI. |
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| Keywords: | PI (Polyimidc) Sputtcd SiO Double layer diclcclrical material Surface passivating |
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