| 薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术 |
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| 引用本文： | 魏星,王湘,陈猛,陈静,张苗,王曦,林成鲁.薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术[J].半导体学报,2008,29(7):1350-1353. |
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| 作者姓名： | 魏星 王湘 陈猛 陈静 张苗 王曦 林成鲁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050；中国科学院研究生院，北京 100039；上海新傲科技有限公司，上海 201821;上海新傲科技有限公司，上海 201821;上海新傲科技有限公司，上海 201821;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050；上海新傲科技有限公司，上海 201821;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050；上海新傲科技有限公司，上海 201821;上海新傲科技有限公司，上海 201821 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术--注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度lμm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术.
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| 关 键 词： | 薄膜厚埋层SOI材料 注氧键合技术 剖面透射电镜 |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)07-1350-04 |
| 收稿时间： | 1/4/2008 4:39:57 PM |
| 修稿时间： | 2/9/2008 11:22:23 AM |
New Technology for Fabricating a Thin Film/Thick BOX Silicon-on-Insulator |
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| Wei Xing,Wang Xiang,Chen Meng,Chen Jing,Zhang Miao,Wang Xi and Lin Chenglu.New Technology for Fabricating a Thin Film/Thick BOX Silicon-on-Insulator[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7):1350-1353. |
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| Authors: | Wei Xing Wang Xiang Chen Meng Chen Jing Zhang Miao Wang Xi and Lin Chenglu |
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| Institution: | State Key Laboratory of Functional Material for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China;Shanghai Simgui;Shanghai Simgui Technology Company Limited,Shanghai 201821,China;Shanghai Simgui Technology Company Limited,Shanghai 201821,China;State Key Laboratory of Functional Material for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;State Key Laboratory of Functional Material for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Shanghai Simgui Technology Company Limited,Shanghai 201821,China;State Key Laboratory of Functional Material for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Shanghai Simgui Technology Company Limited,Shanghai 201821,China;Shanghai Simgui Technology Company Limited,Shanghai 201821,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film/thick BOX SOI SIMOX wafer bonding technology XTEM |
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