| 特定相位高功率开关的研制 |
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| 引用本文： | 李涛,吴景峰,陈宏江.特定相位高功率开关的研制[J].半导体技术,2010,35(8):852-854. |
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| 作者姓名： | 李涛 吴景峰 陈宏江 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 为满足相控阵天线的特定相位、小型化及高功率的要求,研制了一种S波段SP4T开关,阐述了开关的设计仿真方法,详细分析了开关的相位和大功率设计.用矢量网络分析仪测得结果为插入损耗IL＜0.6 dB,隔离大于40 dB,传输相位和反射相位小于5°,输入输出驻波比小于1.3.结果表明,微带线的尺寸不仅影响开关的传输相位和反射相位,还影响开关的插入损耗,微带线的调整在改善相位的同时,也有可能会使开关的插入损耗变差,反射相位的改变会同时影响传输相位和插入损耗的大小.揭示了开关传输反射相位、插入损耗和微带线尺寸之间的相互联系,通过测量比较,研究了接插件对相位带来的影响,讨论了开关的大功率设计方法.
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| 关 键 词： | 特定相位 高功率 S波段 开关 仿真 |
Design of Special Phase High Power Switch |
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| Li Tao,Wu Jingfeng,Chen Hongjiang.Design of Special Phase High Power Switch[J].Semiconductor Technology,2010,35(8):852-854. |
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| Authors: | Li Tao Wu Jingfeng Chen Hongjiang |
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| Institution: | Li Tao,Wu Jingfeng,Chen Hongjiang(The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | special phase high power S band switch emulate |
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