| 溅射条件对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻的影响 |
| |
| 引用本文： | 王合英,孙文博,茅卫红. 溅射条件对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻的影响[J]. 物理实验, 2007, 27(8): 3-5,9 |
| |
| 作者姓名： | 王合英 孙文博 茅卫红 |
| |
| 作者单位： | 清华大学,物理系,北京,100084 |
| |
| 摘 要： | 研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响.实验发现基片温度是影响Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻最重要的因素.在较高的基片温度下,溅射气压对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻也有较大的影响.基片温度在150~180℃,溅射气压在0.3~0.5 Pa范围内制备的Ni80Fe20薄膜有较大的各向异性磁电阻(3.7%~4.3%).
|
| 关 键 词： | Ni80Fe20薄膜 各向异性磁电阻 基片温度 溅射气压 |
| 文章编号： | 1005-4642（2007）08-0003-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-032007-05-17 |
Effects of sputtering conditions on the anisotropic magnetoresistance of Ni80Fe20 thin films |
| |
| WANG He-ying,SUN Wen-bo,MAO Wei-hong. Effects of sputtering conditions on the anisotropic magnetoresistance of Ni80Fe20 thin films[J]. Physics Experimentation, 2007, 27(8): 3-5,9 |
| |
| Authors: | WANG He-ying SUN Wen-bo MAO Wei-hong |
| |
| Affiliation: | Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Ni80Fe20 thin films anisotropic magnetoresistance substrate temperature sputtering pressure |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
