| In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管 |
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| 引用本文： | 徐红钢,陈效建,高建峰,郝西萍.In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管[J].固体电子学研究与进展,2001,21(3):276-280. |
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| 作者姓名： | 徐红钢 陈效建 高建峰 郝西萍 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目：批准号：6947038 |
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| 摘 要： | 提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管（pHFET）概念，器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气（2DHG）原理以改善GaAs的空穴输运特性，据此原理研制的器件可在室温下工作，其实结果为：室温下，饱和电流Idss=61mA/mm,跨导gm=41mS/mm,77K下，饱和电流Idss=94mA/mm,跨导gm=61mS/mm，预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益，因而具有良好的应用潜力。
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| 关 键 词： | 铟镓磷／砷化镓 二维空穴气 p沟异质结场效应晶体管 |
| 文章编号： | 1000-3819(2001)03-276-05 |
| 修稿时间： | 1999年8月4日 |
In0.5Ga0.5P/GaAs p Channel Heterostructure FET Based on Two Dimensional Hole Gas |
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