AACVD方法制备FTO薄膜及其结构与光电性能研究 |
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引用本文: | 林威豪,马晔城,陈胜男,汪建勋,韩高荣.AACVD方法制备FTO薄膜及其结构与光电性能研究[J].燕山大学学报,2018(3). |
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作者姓名: | 林威豪 马晔城 陈胜男 汪建勋 韩高荣 |
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作者单位: | 浙江大学材料科学与工程学院;硅材料国家重点实验室 |
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摘 要: | 以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO(SnO_2:F)透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了镀膜时间对FTO薄膜微观结构和光电性能的影响规律。结果表明,薄膜物相为(200)晶面择优生长的金红石相Sn O2;随镀膜时间增加,薄膜表面颗粒粗化,厚度近似呈线性增加;镀膜时间每延长2 min,可见光区主波长(550 nm)透过率下降约10%,中远红外光区平均反射率先增大后减小,电阻率先减小后增大。在本文实验条件下,薄膜厚度可从约250 nm增加至约2 200 nm,电阻率在2.89×10-4~6.69×10-4Ω·cm之间,依据中远红外反射光谱计算半球辐射率在0.21~0.40之间,为进一步的性能优化提供了实验基础。
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