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| 具有氧化铝栅电介质的MOS晶体管 | |
| 引用本文： | 黄子伦.具有氧化铝栅电介质的MOS晶体管[J].微电子学,1975(3). |
| 作者姓名： | 黄子伦 |
| 摘 要： | 本专利提出一种以AlO_3膜作为栅电极绝缘体的MOS晶体管的制备方法,包括汽相淀积氧化物工艺,以及尔后在湿气气氛中于700℃左右热处理淀积膜。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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