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| NiIn（Ge）／n－GaAs欧姆接触的研究 | |
| 引用本文： | 范缇文,丁孙安,张金福,许振嘉.NiIn（Ge）／n－GaAs欧姆接触的研究[J].半导体学报,1995,16(7):541-545. |
| 作者姓名： | 范缇文 丁孙安 张金福 许振嘉 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文报道了一种用电子束蒸发制备铟基金属与ｎ型ＧａＡｓ单晶欧姆接触ＮｉＩｎ（Ｇｅ）／ｎ－ＧａＡｓ材料．其接触电阻率ρｃ对随后的热退火温度存在着典型的Ｕ型依赖关系．透射电子显微镜（ＴＥＭ）及俄歇电子能谱（ＡＥＳ）的分析结果指出ρｃ值的大小很大程度取决于ＧａＡｓ衬底与金属接触材料间ＩｎＧａＡｓ相的形成及其覆盖度．文中还对金属接触材料与砷化镓相互作用的动力学进行了讨论． |
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