| 高压GaAs光导开关的锁定及延迟效应机理分析 |
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| 引用本文： | 龚仁喜,张同意,张义门,石顺祥.高压GaAs光导开关的锁定及延迟效应机理分析[J].光学学报,2001,21(11):372-1376. |
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| 作者姓名： | 龚仁喜 张同意 张义门 石顺祥 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子所,广西大学电气工程学院,
2. 西安电子科技大学微电子所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (6 97810 0 2 ) |
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| 摘 要： | 利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关（PCSS's)的动态非线性特性，特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真研究，仿真结果表明深能级陷阱能显著影响开关中的电场，载流子，电流密度等分布，引起电流的延迟，使开关中某些区域的电场动态增强，并足以达到雪崩的强度，从而引起载流子雪崩倍增，并在外电路的作用下，使开关进入锁定状态，仿真结果与实验现象基本相符，由此得出结论：高压GaAs光导开关实验中所观察到的锁定及延迟等现象均与开关材料中故意或非故障引入的深能级陷阱密切相关。
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| 关 键 词： | 光导开关 机理分析 锁定 延迟效应 GaAs光导开关 砷化镓光导开关 动态非线性 |
Analysis of Lock-On and Time Delay in High-Voltage GaAs PCSS′s |
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