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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
MWECR CVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究
作者姓名:
宋雪梅
宋道颖
陈蔚忠
芦奇力
冯贞健
鲍旭红
邓金祥
陈光华
作者单位:
北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022
基金项目:
国家973资助项目(G000028201-1)
摘 要:
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
关 键 词:
MWECRCVD
α-Si:H薄膜
IR分析
高斯函数拟合,
文章编号:
1000-985X(2002)03-0321-04
修稿时间:
2001-12-12
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