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| 二元硅氧环与CFn (n＝1～3)自由基反应的理论研究 | |
| 引用本文： | 郭冠伦,朱荣秀,张冬菊,刘成卜.二元硅氧环与CFn (n＝1～3)自由基反应的理论研究[J].化学学报,2006,64(20). |
| 作者姓名： | 郭冠伦 朱荣秀 张冬菊 刘成卜 |
| 作者单位： | (山东大学化学与化工学院 济南 250100) |
| 摘 要： | 用密度泛函理论在UB3LYP/6-31G(d)水平上研究了二元硅氧环与CFn (n＝1～3)自由基的反应, 弄清了微观反应机理, 计算了反应的活化能和反应热. 计算结果表明反应按两类相互竞争的机理进行: 一类是不涉及C—F键断裂的反应, 另一类是Si—O和C—F键同时断裂的反应. CF2自由基与二元硅氧环反应所需活化能最小、驱动力最大, 是Si—O键最有效的刻蚀剂, 与实验结果一致. |
| 关 键 词： | 二氧化硅 CFn (n＝1～3) 反应机理 密度泛函 |
| 收稿时间： | 2006-2-14 |
| 修稿时间： | 2006-4-20 |
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