用于ULSI制造的等离子体浸没离子注入反应装置 |
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引用本文: | Qian.,XV 孙鸿涛.用于ULSI制造的等离子体浸没离子注入反应装置[J].微细加工技术,1991(4):60-63. |
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作者姓名: | Qian. XV 孙鸿涛 |
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摘 要: | 一台用于集成电路制造的等离子体浸没离子注入反应装置(PⅢ:Plasma Immersion Ion Implantation)已研制成功。用此系统,实现了惰性气体等离子体金属吸杂、用SiF_4等离子体使样品预非晶化然后用BF_3等离子体掺杂形成亚-100nmP~+/N结、沟道保角P~+掺杂以及选择性铜无电镀Pd离子活化注入。 PⅢ系统由电子回旋共振等离子体源、带晶片偏压电源的处理室、带偏压电源的溅射靶、气体处理和等离子体诊断部件组成。本文将介绍该装置及等离子体特性和反应装置的性能。
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关 键 词: | 离子注入 等离子体浸没 反应装置 |
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