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10-羟基喜树碱在碳纳米管-离子液体修饰电极上的电催化氧化及电分析方法
摘    要:用多壁碳纳米管(MWCNTs)和亲水性离子液体N-乙基吡啶四氟硼酸盐(Et Py]BF4)作修饰剂,构置了修饰玻碳电极(MWCNTs-Et Py]BF4/GCE),并应用电镜扫描法(SEM)和电化学阻抗法(EIS)对MWCNTs-Et Py]BF4/GCE进行了表征。MWCNTs在Et Py]BF4离子液体中能有效分散,增加了电极表面的活性位点,与裸GCE和MWCNTs-DMF/GCE相比,MWCNTs-Et Py]BF4/GCE电导率最高。在pH 6.8的PBS缓冲溶液中,用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)研究了10-羟基喜树碱在该修饰电极上的电化学行为,建立了一种测定10-羟基喜树碱注射液中10-羟基喜树碱含量的新方法。10-羟基喜树碱在MWCNTs-Et Py]BF4/GCE上出现一对灵敏、可逆的氧化还原峰,峰电位差(△Ep)为40 m V,与MWCNTs-DMF/GCE相比减小了80 m V;10-羟基喜树碱在MWCNTs-Et Py]BF4/GCE上的氧化、还原峰电流响应分别是在M WCNTs-DM F/GCE上的3.3倍和2.0倍,表明M WCNTs-Et Py]BF4/GCE对10-羟基喜树碱的氧化还原反应有良好的电催化作用。在20~500 m V/s扫速范围内,氧化还原峰电流均与扫速平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极反应过程受扩散控制。在DPV曲线上,10-羟基喜树碱的氧化峰电流与其浓度在5.0×10-6~1.8×10-4g/L范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0×10-6g/L。方法用于10-羟基喜树碱药物的含量测定,RSD为2.9%~3.5%,加标回收率为98.6%~105%。

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