首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨
引用本文:叶光,林志贤,郭太良. 射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨[J]. 龙岩学院学报, 2002, 20(6): 44-45
作者姓名:叶光  林志贤  郭太良
作者单位:福州大学信息科学与技术学院
摘    要:介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和其他镀膜技术相比,射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。

关 键 词:磁控溅射  SiO2薄膜  淀积速率
文章编号:1672-044X(2002)06-0044-02
修稿时间:2002-04-09

Deposition of SiO2 Film with Radio Frequency and Magnetron Sputtering
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号