|
|||||
|
|
| 多孔硅——一种新形态的硅材料 | |
| 作者姓名： | 张树霖 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 北京100871 |
| 摘 要： | 多孔硅（ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）是指通过对氢氟酸溶液中的晶体硅片进行阳极氧化，在硅衬底上形成的多孔态的硅材料．本文介绍了多孔硅的形成规律和结构形貌，并对其光学性质和形成机制仆行了简要的评介，最后以多孔硅在大规模集成电路中的应用为主讨论了它的技术应用． |
| 关 键 词： | 硅 多孔态 结构 集成电路 多孔硅 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |