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| 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ) | |
| 引用本文： | 王涛,姚键全,张国义.金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ)[J].物理,2005,34(10):718-724. |
| 作者姓名： | 王涛 姚键全 张国义 |
| 作者单位： | 1. 天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072;北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心,北京,100871 2. 天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072 3. 北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：60376005）、长江教授基金资助项目 |
| 摘 要： | 如今，InGaN／GaN基量子阱发光二极管已经商业化，而且InGaN／GaN基量子阱激光二极管已实现连续波室温运转，使用寿命超过10000小时，虽然如此，但还没有完全搞清楚这些器件的发光机理．试验中通常使用连续输出He-Cd激光器（325nm）作光源，或者使用20—50mA注入电流来研究In—GaN量子阱样品或发光二极管光学性质，本文上篇研究了量子阱厚度与发光二极管发光功率的关系，lnGaN和GaN之间的晶格失配产生压电场，从而导致量子束缚斯塔克效应，而量子束缚斯塔克效应强 |
| 关 键 词： | InGaN／GaN 发光二极管 金属有机化学气相沉积 激光二极管 外延技术 半导体 斯塔克效应 生长 量子阱 |
| 收稿时间： | 2004-10-15 |
| 修稿时间： | 2004-10-152005-04-10 |
MOCVD Growth of GaN-based light emitting diodes and laser diodes(Ⅱ) |
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| WANG Tao,YAO Jian-Quan,ZHANG Guo-Yi.MOCVD Growth of GaN-based light emitting diodes and laser diodes(Ⅱ)[J].Physics,2005,34(10):718-724. | |
| Authors: | WANG Tao YAO Jian-Quan ZHANG Guo-Yi |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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