Characterization of native and heterooxide layers on compound semiconductors by combined use of surface analysis methods |
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| Authors: | U Kaiser P Sander O Ganschow and A Benninghoven |
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| Institution: | (1) Physikalisches Institut der Universität Münster, Domagkstr. 75, D-4400 Münster, Federal Republic of Germany |
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| Abstract: | Summary Structure, formation and interface reactions of anodic oxides and SiO2 on CdxHg1–xTe have been studied by means of SIMS, AES, XPS, TDMS and the electron microprobe as an example for the application of surface analysis to compound and semiconductor passivation systems.
Charakterisierung von Eigenoxid- und Heterooxidschichten auf Mehrkomponentenhalbleitern durch kombinierten Einsatz oberflächenanalytischer Verfahren Zusammenfassung Aufbau, Bildungsmechanismus und Grenzflächenreaktionen von anodischen Oxiden und Quarz auf CdxHg1–xTe wurden mit SIMS, AES, XPS, TDMS, SNMS und der Elektronenstrahlmikrosonde untersucht. |
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