| 单轴〈111〉应力硅价带结构计算 |
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| 作者姓名： | 马建立 张鹤鸣 宋建军 王晓艳 王冠宇 徐小波 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071 |
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| 基金项目： | 中央高等学校基本科研基金(批准号:200972105499)资助的课题. |
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| 摘 要： | 基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.关键词：单轴应力硅k·p法')" href="#">k·p法价带结构
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| 关 键 词： | 单轴应力硅 k·p法 价带结构 |
| 收稿时间： | 2010-11-01 |
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