硅表面化学镀银晶籽层生长过程的研究

室温下在HF+AgNO₃溶液中于硅表面制备了银晶籽层。利用开路电位时间曲线（OCP-t）、阳极溶出伏安法（ASV）以及扫描隧道显微镜（STM）等方法研究了硅表面银晶籽层的形成过程，解释了银晶核长大的过程。提出了银晶籽在硅表面的生长机理是：首先是在硅表面没有被完全覆盖的情况下，单层银晶籽生长的同时伴随有多层的生长，此后单层逐渐形成连续的薄膜，在单层晶籽层上多层薄膜逐渐增厚，并伴随有部分银原子向硅中的扩散。