| Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火 |
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| 引用本文： | 吴春武,殷士端,张敬平,范缇文,刘家瑞,朱沛然.Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火[J].半导体学报,1989,10(9):659-666. |
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| 作者姓名： | 吴春武 殷士端 张敬平 范缇文 刘家瑞 朱沛然 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所
(吴春武，殷士端，张敬平，范缇文)，中国科学院物理研究所
(刘家瑞)，中国科学院物理研究所(朱沛然) |
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| 摘 要： | 本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化.
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| 关 键 词： | 离子注入 离子束混合 硅化物 |
Ion Implantation and Thermal Annealing of Ni/Si, Pt/Si and Ir/Si |
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| Wu Chunwu/Institute of Semiconductors,Academia SinicaYin Shiduan/Institute of Semiconductors,Academia SinicaZhang Jingping/Institute of Semiconductors,Academia SinicaFan Tiwen/Institute of Semiconductors,Academia SinicaLiu Jiarui/Institute of Physics,Academia SinicaZhu Peiran/Institute of Physics,Academia Sinica.Ion Implantation and Thermal Annealing of Ni/Si, Pt/Si and Ir/Si[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(9):659-666. |
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| Authors: | Wu Chunwu/Institute of Semiconductors Academia SinicaYin Shiduan/Institute of Semiconductors Academia SinicaZhang Jingping/Institute of Semiconductors Academia SinicaFan Tiwen/Institute of Semiconductors Academia SinicaLiu Jiarui/Institute of Physics Academia SinicaZhu Peiran/Institute of Physics Academia Sinica |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ion implantation Ion mixing Silicide Chemical phase Enhanced-liffusion |
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