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用低能电子衍射研究Cu(001)表面吸附碲的表面原子结构
引用本文:蓝田,徐飞岳.用低能电子衍射研究Cu(001)表面吸附碲的表面原子结构[J].原子与分子物理学报,1991,8(3):1945-1952.
作者姓名:蓝田  徐飞岳
作者单位:成都电讯工程学微电子技术系 (蓝田),成都电讯工程学微电子材料系(徐飞岳)
摘    要:本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确-定的,在Cu(001)表面的4重对称空隙上吸附Te原子的吸附层模型。原子层间距d_1=1.633±0.004,d_2=1.943±0.007(膨胀7.6%±0.007)。

关 键 词:电子衍射  Cu  表面吸附    表面结构
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