| 痕量碲在金膜电极上阳极溶出伏安法的研究 |
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| 引用本文： | 邓家祺,何佩鑫,陈晓明.痕量碲在金膜电极上阳极溶出伏安法的研究[J].化学学报,1980,38(6):529-534. |
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| 作者姓名： | 邓家祺 何佩鑫 陈晓明 |
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| 作者单位： | 复旦大学化学系 上海 |
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| 摘 要： | 本文报道了痕量碲在玻璃态石墨电极为基体的金膜电极上的阳极溶出伏安法。在0.1M高氯酸介质中于+0.65伏左右得到一个碲的溶出峰,峰面积与碲浓度在1.0×10-9M～5.0×10-6M范围内有良好的线性关系。定量下限达1.0×10-9M,相当于0.13ppb,成为目前碲的分析中最灵敏的方法之一。本文并用三角波周期伏安法观察了电极反应过程,证明电极反应属不可逆反应,并认为碲在电极上的浓集可能是由于形成了碲-的金属间化合物。
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A STUDY OF ANODIC STRIPPING VOLTAMMETRY OF TRACE TELLURIUM ON GOLD FILM ELECTRODE |
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| DENG JIA-QI,HE PEI-XING,CHEN XIAO-MING.A STUDY OF ANODIC STRIPPING VOLTAMMETRY OF TRACE TELLURIUM ON GOLD FILM ELECTRODE[J].Acta Chimica Sinica,1980,38(6):529-534. |
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| Authors: | DENG JIA-QI HE PEI-XING CHEN XIAO-MING |
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| Institution: | Department of Chemistry, Fudan University, Shanghai |
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