| 薄膜SOI上SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容改进模型 |
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| 引用本文： | 徐小波,张鹤鸣,胡辉勇.薄膜SOI上SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容改进模型[J].物理学报,2011,60(11):118501-118501. |
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| 作者姓名： | 徐小波 张鹤鸣 胡辉勇 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家部委资助项目(批准号:51308040203, 6139801)、中央高校基本科研业务费(批准号:72105499, 72104089)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题. |
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| 摘 要： | 文章研究了SOI衬底上SiGe npn异质结晶体管集电结耗尽电荷和电容.根据器件实际工作情况,基于课题组前面的工作,对耗尽电荷和电容模型进行扩展和优化.研究结果表明,耗尽电荷模型具有更好的光滑性;耗尽电容模型为纵向耗尽与横向耗尽电容的串联,考虑了不同电流流动面积,与常规器件相比,SOI器件全耗尽工作模式下表现出更小的集电结耗尽电容,因此更大的正向Early电压;在纵向工作模式到横向工作模式转变的电压偏置点,耗尽电荷和电容的变化趋势发生改变.SOI薄膜上纵向SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容模型的建立和扩展为毫米波SOI BiCMOS工艺中双极器件核心参数如Early电压、特征频率等的设计提供了有价值的参考.
关键词：
耗尽电容
SiGe HBT
SOI
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| 关 键 词： | 耗尽电容 SiGe HBT SOI |
| 收稿时间： | 2010-11-02 |
| 修稿时间： | 3/8/2011 12:00:00 AM |
Improved base-collector depletion charge and capacitance model for SiGe HBT on thin-film SOI |
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| Xu Xiao-Bo,Zhang He-Ming and Hu Hui-Yong.Improved base-collector depletion charge and capacitance model for SiGe HBT on thin-film SOI[J].Acta Physica Sinica,2011,60(11):118501-118501. |
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| Authors: | Xu Xiao-Bo Zhang He-Ming and Hu Hui-Yong |
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| Institution: | Xu Xiao-Bo Zhang He-Ming Hu Hui-Yong (Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics,Xidian University,Xi'an 710071,China) |
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| Abstract: | The SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) on thin film SOI is successfully integrated with SOI CMOS by folded collector.This paper deals with the collector depletion charge and the capacitance of this structure.An optimized model is presented based on our previous research.The results show that the charge model is smoother,and that the capacitance model with considering different current flow areas,is vertical and horizontal depletion capacitances in series,showing that the depletion capacitance is s... |
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| Keywords: | depletion capacitance SiGe HBT SOI |
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