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| 高导热性氮化铝陶瓷 | |
| 引用本文： | 安斋和雄,岩濑畅男,刘光聪.高导热性氮化铝陶瓷[J].压电与声光,1985(5). |
| 作者姓名： | 安斋和雄 岩濑畅男 刘光聪 |
| 摘 要： | 改进了半导体器件基片用的氮化铝(AlN)陶瓷的导热性.过去认为在陶瓷中存在某些杂质会降低AlN的导热率,然而,经在原料粉末中添加适量的Y_2O_3助烧结剂,经过烧成获得了致密的陶瓷烧结体,其导热率远比未添加助烧结剂的热压烧结体为优.厚膜线路形成金属粘结是半导体基片制造中不可缺少的工艺,我们在烧结氨化铝陶瓷上成功地进行了试验. |
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