| 在硅衬底上制备Si纳米线及其表征 |
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| 引用本文： | 要秉文,郝相雨,籍凤秋.在硅衬底上制备Si纳米线及其表征[J].人工晶体学报,2008,37(3):644-647. |
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| 作者姓名： | 要秉文 郝相雨 籍凤秋 |
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| 作者单位： | 石家庄铁道学院材料科学与工程分院,石家庄,050043;石家庄铁道学院四方学院,石家庄,050000 |
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| 摘 要： | 采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05 M FeCl2·6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线.用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构.试验结果表明:随着温度的升高,纳米线的直径增大;催化剂是Si纳米线生成的重要因素,没有沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成,且该硅纳米线的生长机理为典型的气-液-固模式.
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| 关 键 词： | 硅纳米线 气-液-固机理 硅衬底 |
Preparation and Characterization of Silica Nanowires on the Silica Substrate |
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| YAO Bing-wen,HAO Xiang-yu,JI Feng-qiu.Preparation and Characterization of Silica Nanowires on the Silica Substrate[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(3):644-647. |
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| Authors: | YAO Bing-wen HAO Xiang-yu JI Feng-qiu |
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