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| ZnO-Bi_2O_3-TiO_2-Nb_2O_5系列压敏陶瓷的微观缺陷和电学性能研究 | |
| 作者姓名： | 吕艳琼 罗洪梁 闫德霖 黄宇阳 邓文 |
| 作者单位： | 广西大学物理科学与工程技术学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(10764001); 广西自然科学基金(桂科回0832003) |
| 摘 要： | 研究了Nb2O5含量对ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明,含0.2mol%Nb2O5的ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5压敏陶瓷的晶界缺陷最少,压敏电压最低。当Nb2O5含量超过0.2mol%时,ZnO压敏陶瓷样品中的晶界缺陷增加,压敏电压升高。 |
| 关 键 词： | ZnO压敏陶瓷 Nb2O5掺杂 电学性能 正电子湮没 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |