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| 基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器 | |
| 作者姓名： | 牛斌 钱骏 范道雨 王元庆 梅亮 戴俊杰 林罡 周明 陈堂胜 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司,江苏南京210016;南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016;南京安太芯电子有限公司,江苏南京210016;南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016 |
| 基金项目： | Supported by the national key R&D program of China （2018YFF0109301） |
| 摘 要： | 报道了用于冰云探测的基于0.5 μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数，提升太赫兹频段电路性能，设计并分析了了T形阳极GaAs SBD器件结构，开发了厚度仅5 μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块，经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到 9.9 dB。 |
| 关 键 词： | 砷化镓肖特基二极管 薄膜电路 次谐波混频器 |
| 收稿时间： | 2020-10-22 |
| 修稿时间： | 2021-09-04 |
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