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| MBE法生长碲汞镉合金薄膜的前景 | |
| 作者姓名： | 周茂树 |
| 作者单位： | 天津光电技术研究所 |
| 摘 要： | 制备高性能HgCdTe多元列阵探测器,需要高质量的晶体材料。本文介绍了目前已有的HgCdTe薄膜外延生长工艺,比较了液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、有机金属化学汽相淀积(MOCVD)、激光蒸发淀积(LADA)等HgCdTe薄膜外延生长工艺的优缺点,着重 |
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