| VB法生长低位错GaAs单晶 |
| |
| 引用本文： | 王建利,孙强,牛沈军,兰天平,李仕福,周传新,刘津. VB法生长低位错GaAs单晶[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 200-204 |
| |
| 作者姓名： | 王建利 孙强 牛沈军 兰天平 李仕福 周传新 刘津 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
| |
| 基金项目： | 致谢：文章中晶体结构参数的测试及位错显微照像工作得到了信息产业部专用材料质量监督检验中心周芷惠、章安辉两位老师的协助,对他们表示感谢. |
| |
| 摘 要： | 用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD).为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶.我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位错密度5000cm-2.通过改变加热器结构,改善轴向和径向的温度梯度,优化了生长时的固液界面,得到的单晶长度达20cm,平均位错密度为500cm-2,最大位错密度小于5000cm-2.
|
| 关 键 词： | 位错密度 垂直布里奇曼法 GaAs晶体 温度梯度 热场 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）01-0200-05 |
| 修稿时间： | 2006-08-22 |
Low Etch-pit-density GaAs Crystal Grown by Vertical Bridgman Method |
| |
| WANG Jian-li,SUN Qiang,NIU Shen-jun,LAN Tian-ping,LI Shi-fu,ZHOU Chuan-xin,LIU Jin. Low Etch-pit-density GaAs Crystal Grown by Vertical Bridgman Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(1): 200-204 |
| |
| Authors: | WANG Jian-li SUN Qiang NIU Shen-jun LAN Tian-ping LI Shi-fu ZHOU Chuan-xin LIU Jin |
| |
| Affiliation: | The 46th Research Institute , China Electronic Technology Group Corporation, Tianjin 300220, China |
| |
| Abstract: | Semi-conductive GaAs wafers are used for laser diode(LD) and light emitting diode(LED),which need low etch pit density(EPD) wafer.We have attained 2-inch and 3-inch silicon(Si) doped single crystal with crystal length of 10cm by vertical Bridgman(VB) mothod.The average EPD of the crystal was 5000cm-2.By improving the furnace structure,modifying the temperature gradient of the axis and radial,thus optimizing the shape of solid-liquid interface,we have acquired length of 20cm Si-doped GaAs crystal with an average EPD of about 500cm-2 and max EPD of less than 5000cm-2. |
| |
| Keywords: | etch-pit-density(EPD) vertical Bridgman(VB) method GaAs crystal temperature gradient temperature field |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 |
|
