1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟 |
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引用本文: | 袁晓东,李绪平,郑万国,祖小涛,向霞,蒋晓东,尹烨,徐世珍,郭袁俊,田东斌,王毕艺.1.064 μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟[J].强激光与粒子束,2008,20(3):509-512. |
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作者姓名: | 袁晓东 李绪平 郑万国 祖小涛 向霞 蒋晓东 尹烨 徐世珍 郭袁俊 田东斌 王毕艺 |
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作者单位: | 1. 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900; 2. 电子科技大学 物理电子学院, 成都 610054 |
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基金项目: | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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摘 要: | 用1.064 μm波长的单脉冲(6 ns)激光对K9玻璃基底上电子束沉积的单层SiO2薄膜进行了辐照损伤实验。以扫描电镜对K9基底的断面进行分析,并采用表面热透镜装置对膜层中的缺陷进行了检测,最后采用Matlab偏微分工具箱对缺陷的散射光光场进行了有限元模拟。实验研究表明:膜层中存在缺陷,基底中也存在大量缺陷。模拟研究表明:缺陷的位置越深,形成的条纹间距也越宽;当缺陷的形状不规则时,在局部出现近似平行的纹波结构;当缺陷的数目增加时,这些缺陷的散射光的叠加就形成相互叠加的条纹。
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关 键 词: | 激光诱导损伤 SiO2薄膜 电子束蒸发 纹波损伤 |
文章编号: | 1001-4322(2008)03-0509-04 |
收稿时间: | 2007/3/9 |
修稿时间: | 2007年3月9日 |
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