| 低压力Cu布线CMP速率的研究 |
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| 引用本文： | 刘海晓,刘玉岭,刘效岩,李晖,王辰伟.低压力Cu布线CMP速率的研究[J].半导体技术,2010,35(8):761-763,767. |
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| 作者姓名： | 刘海晓 刘玉岭 刘效岩 李晖 王辰伟 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项 |
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| 摘 要： | 采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势.由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战.通过对CMP过程的机理分析,提出了影响低机械强度下Cu布线CMP速率的主要因素,详细分析了CMP过程中磨料体积分数、氧化剂体积分数、FA/O螯合剂体积分数等参数对去除速率的影响.在4.33 kPa的低压下通过实验得出,在磨料体积分数为20%,氧化剂体积分数为3%,FA/O螯合剂体积分数为1.5%时可以获得最佳的去除速率及良好的速率一致性.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 铜布线 低机械强度 抛光速率 |
Study on CMP Rate of Copper at Reduced Down Pressure |
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| Liu Haixiao,Liu Yuling,Liu Xiaoyan,Li Hui,Wang Chenwei.Study on CMP Rate of Copper at Reduced Down Pressure[J].Semiconductor Technology,2010,35(8):761-763,767. |
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| Authors: | Liu Haixiao Liu Yuling Liu Xiaoyan Li Hui Wang Chenwei |
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| Institution: | Liu Haixiao,Liu Yuling,Liu Xiaoyan,Li Hui,Wang Chenwei(Institute of Microelectronics,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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| Abstract: | The dielectric layer with low dielectric constant material(low-k dielectric)in copper wiring has become the inevitable developing trend of IC technology.Due to low compression resistance of low-k material,the mechcanical strength must be reduced,which is a challenge for the traditional chemical-mechanical polishing(CMP)technology.Based on the mechanism of CMP process,the main factors of low mechanical copper wiring CMP are proposed.The impacts of abrasive volume fraction,oxidant volume fraction,chelating ag... |
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| Keywords: | chemical mechanical polishing(CMP) copper interconnection low mechanical action polishing rate |
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