首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

A Kα线的化学位移与A离子价电子配置的关系
作者姓名:白友兆  福岛整  合志阳一
作者单位:中国建筑材料科学研究院 北京市朝阳区管庄(白友兆),日本东京大学工学部工业化学科 日本国东京都(福岛整),日本东京大学工学部工业化学科 日本国东京都(合志阳一)
摘    要:籍SCC-DV-Xα法,用[AlO_4]~(5-)和[AlO_6]~(9-)模型计算了Al离子的轨道占有率和配位数所引起的Al Kα线化学位移。这是基于下述考虑。对[AlO_(?)]~(?)基团,相对于中性自由Al原子的Al Kα线化学位移ΔE(m),可以用下式表示。ΔE(m)=(ΔE_(3p)+ΔE_3(?)+ΔE_(3d))+ΔE。其中,ΔE_3s、ΔE_3p和ΔE_3d分别为Al离子的3s、3p和3d电子数的变化所引起的AlKα线位移,ΔE_o为O离子电场不同所引起的位移。计算结果表明:(1)4配位Al离子的3p和3d电子数显著高于6配位Al。(2)配位数不同所产生的AlKα线位移主要取决于Al离子本身的电荷量及其价电子配置。而且,此位移主要是3p电子数的变化所引起。3d电子数的变化则导致Al Kα线向相反方向位移,并且其值甚小。

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号