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Na填充型方钴矿化合物CoSb3的高压合成及电输运特性研究
引用本文:董楠,贾晓鹏,宿太超,姜一平,郭建刚,邓乐,马红安. Na填充型方钴矿化合物CoSb3的高压合成及电输运特性研究[J]. 高压物理学报, 2009, 23(1)
作者姓名:董楠  贾晓鹏  宿太超  姜一平  郭建刚  邓乐  马红安
作者单位:吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林长春,130012
基金项目:国家自然科学基金重点项目 
摘    要: 利用高压合成方法,在压力为2 GPa、温度为900 K的条件下,以NaN3作为添加剂,成功地合成出了Na填充型的方钴矿化合物CoSb3。X射线衍射(XRD)研究结果表明,当Na填充量达80%时,合成的Na填充型方钴矿化合物CoSb3仍为单相方钴矿结构,没有Na和NaN3等杂质峰。在室温下对不同Na填充量的样品进行了电阻率(ρ)和Seebeck系数(α)的测试,研究了不同Na填充量对样品电阻率、Seebeck系数和功率因子(α2σ)的影响。研究结果表明:室温下,样品的电导率随Na填充量的增加而增大,Seebeck系数的绝对值随Na填充量的增加而减小。当Na填充量为0.4时,样品获得了最高的功率因子(8.72 μW·cm-1·K-2),此值高于He等报道的利用热压法制备的CoSb3的值。填充量对样品电输运特性的影响规律与Pei等研究的K填充型CoSb3的研究结果相一致。上述研究结果表明,高压合成技术有利于提高填充型方钴矿化合物的填充量,并有效地提高样品的电输运特性。

关 键 词:CoSb3  NaN3  高压合成  热电材料
收稿时间:2008-03-01;

Synthesis and Electric Transport Properties of Na-Filled CoSb_3 at High-Pressure
DONG Nan,JIA Xiao-Peng,SU Tai-Chao,JIANG Yi-Ping,GUO Jian-Gang,DENG Le,MA Hong-An. Synthesis and Electric Transport Properties of Na-Filled CoSb_3 at High-Pressure[J]. Chinese Journal of High Pressure Physics, 2009, 23(1)
Authors:DONG Nan  JIA Xiao-Peng  SU Tai-Chao  JIANG Yi-Ping  GUO Jian-Gang  DENG Le  MA Hong-An
Affiliation:National Laboratory of Superhard Materials;Jilin University;Changchun 130012;China
Abstract:Skutterudite compounds Na-filled CoSb3 were successfully synthesized at high-pressure using powders of Co, NaN3 and Sb as starting materials. The X-ray diffraction (XRD) results indicate that all samples have the single phase CoSb3. No secondary phase is found when Na content wNa≤80%. The composition-dependent electric transport properties of Na-filled CoSb3 have been studied at room temperature. The Seebeck coefficient decreases with increasing Na content. The electrical resistivity decreases with increasing Na content. In this study, the obtained maximum power factor reaches 8.72 μW·cm-1·K-2 when Na content is 40%.
Keywords:CoSb3  NaN3
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