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聚酰亚胺柔性基底上磁控溅射金属铜膜的电学性能研究
作者姓名:彭琎  陈广琦  宋宜驰  谷坤明  汤皎宁
作者单位:深圳大学材料学院;深圳市陶瓷先进技术实验室;伦敦帝国理工大学航空工程系;
基金项目:深圳市科技计划项目(批准号:JC200903130309A);深圳市龙岗区科技创新局产学研合作项目(批准号:cxy2012006)资助的课题~~
摘    要:为了制备用于挠性电路板中的挠性覆铜板,在聚酰亚胺上使用中频磁控溅射方法制备金属Cu膜.实验中,通过改变制备温度、衬底偏压、制备时间等工艺参数,制备出导电性符合要求的Cu薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)研究薄膜的成分、结构以及表面形貌,用触针式台阶仪、四探针电阻测量仪测量薄膜的膜厚以及电阻,并计算薄膜的电阻率.最终得到制备导电性符合工业应用标准的Cu膜的最佳工艺条件:制备温度100℃,直流偏压50 V,无脉冲偏压.

关 键 词:挠性覆铜板  金属铜膜  中频磁控溅射  电阻率
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