| Si掺杂HfO_2薄膜的铁电和反铁电性质 |
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| 引用本文： | 周大雨,徐进,Johannes Müller,Uwe Schrder.Si掺杂HfO_2薄膜的铁电和反铁电性质[J].物理学报,2014(11):294-298. |
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| 作者姓名： | 周大雨 徐进 Johannes Müller Uwe Schrder |
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| 作者单位： | 大连理工大学材料科学与工程学院;大连东软信息学院电子工程系;德国弗劳恩霍夫光学微系统研究所纳米电子技术中心;德国德累斯顿工业大学纳米电子材料研究所; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:51272034);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金(批准号:KFJJ201101)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 通过改变Si掺杂量制备出了具有显著铁电和反铁电特征的HfO2纳米薄膜,对其电滞回线、电容-电压和漏电流-电压特性以及物相温度稳定性进行了对比研究.反铁电薄膜的介电系数大于铁电薄膜,在电场加载和减载过程中发生的可逆反铁电-铁电相变导致了双电滞回线的出现,在室温至185℃的测试温度范围内未出现反铁电→顺电相变.在电流-电压特性测量时观察到的负微分电阻效应归因于极化弛豫等慢响应机理的贡献.
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| 关 键 词： | HfO薄膜 铁电 反铁电 相变 |
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