|
|||||
|
|
| 表面态调控对GaN荧光光谱的影响 | |
| 引用本文： | 周楠,郑强,胡北辰,石德权,苗春雨,马春雨,梁红伟,郝胜智,张庆瑜.表面态调控对GaN荧光光谱的影响[J].物理学报,2014(13):393-397. |
| 作者姓名： | 周楠 郑强 胡北辰 石德权 苗春雨 马春雨 梁红伟 郝胜智 张庆瑜 |
| 作者单位： | 大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室; |
| 摘 要： | 采用高阻本征GaN薄膜,通过H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化方法对GaN薄膜进行表面态调控,研究了表面态调控对GaN薄膜光致荧光光谱的影响.研究发现,H3PO4刻蚀对改善GaN薄膜的紫外荧光发射作用不大,但显著增加可见荧光的强度;经SiOxNy薄膜表面钝化的GaN紫外荧光量子效率增加12—13倍,同时对可见荧光有明显增加.通过比较H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化的室温和低温荧光光谱,探讨了表面态调控对GaN紫外荧光、蓝带荧光和黄带荧光的影响及相关物理机理. |
| 关 键 词： | GaN 表面态调控 荧光光谱 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |