| Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性 |
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| 引用本文： | 欧文,李明,钱鹤.Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性[J].半导体学报,2003,24(5):516-519. |
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| 作者姓名： | 欧文 李明 钱鹤 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心 北京100029
(欧文，李明)，中国科学院微电子中心 北京100029(钱鹤) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000365; |
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| 摘 要： | 对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.
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| 关 键 词： | 快闪存储器 ONO介质层 漏电 临界电场强度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)05-0516-04 |
| 修稿时间： | 2002年7月21日 |
Characteristics of ONO in Flash Memory Device |
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| Ou Wen,Li Ming and Qian He.Characteristics of ONO in Flash Memory Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(5):516-519. |
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| Authors: | Ou Wen Li Ming and Qian He |
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| Abstract: | The processing technique of ONO(oxide/nitride/oxide) and analysis on characteristics of ONO are performed.A higher couple coefficient and lower operating voltage can be obtained by taking thinner bottom oxide and thicker top oxide which can obtain higher critical electric field and thinner efficient oxide. |
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| Keywords: | flash memory ONO leakage current critical electric field |
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